บริษัท Samsung Electronics ได้เริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำ 256GB อย่างเป็นทางการเป็นครั้งแรกด้วยมาตรฐาน Universal Flash Storage 2.0 (UFS) โดยจะนำมาใช้กับโทรศัพท์มือถือ
อัตราความเร็วในการนับส่งข้อมูลนั้นมากถึง 850MB ต่อวินาที ในการอ่านข้อมูล และ 260MB ต่อวินาที ในการเขียนข้อมูล ซึ่งเร็วกว่า MicroSD Card รุ่นที่มีประสิทธิภาพสูงในปัจจุบันถึง 3 เท่า โดยชิปหน่วยความจำดังกล่าวจะถูกใช้เทคโนโลยี V-NAND ของทาง Samsung เอง ที่สามารถเร่งอัตราจำนวนคำสั่งการอ่าน/เขียนข้อมูล (IOPS) ได้มากถึง 45,000/40,000 ต่อวินาที ซึ่งมากกว่าหน่วยความจำแบบ USF รุ่นก่อนถึง 2 เท่า
เคยมีข่าวออกมาว่า Samsung Galaxy Note 6 ที่จะเปิดตัวเดือนกันยายน 2016 นี้ อาจจะมีหน่วยความจำภายใจตัวเครื่องมากถึง 128GB แต่สำหรับ 256GB นั้น ทาง Samsung ยังไม่ได้ให้รายละเอียดว่าจะนำมาใช้ในแฟ็บเล็ตรุ่นเรือธงนี้จริงหรือไม่
ที่มา : gsmarena.com